بررسی کاربردهای طیف سنجی جرمی یون ثانویه ((SIMS در تحلیل سطح نانومواد: روشها، مزایا و چالش ها
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 324
فایل این مقاله در 17 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES18_200
تاریخ نمایه سازی: 12 دی 1403
چکیده مقاله:
طیف سنجی جرمی یون ثانویه (SIMS) یکی از قدرتمندترین تکنیک های آنالیز سطحی است که برای بررسی ترکیب شیمیایی و ساختار سطوح جامد و لایه های نانو استفاده می شود. SIMS به دلیل حساسیت سطحی بالا، وضوح جانبی عالی و قابلیت تجزیه و تحلیل عمقی ، ابزار بسیار مفیدی برای آنالیز ذرات محیطی است . این تکنیک قادر به شناسایی و تعیین مقدار عناصر و ترکیبات مولکولی در سطح با دقت بسیار بالاست . نقش حیاتی خواص سطح در تعیین رفتار و کاربرد نانومواد، آنالیز سطحی را به یک ضرورت برای مطالعه ، توسعه و کاربرد نانومواد تبدیل کرده است . مقاله حاضر به بررسی اصول کار، انواع روشهای SIMS و کاربردهای آن در تجزیه و تحلیل سطح نانومواد می پردازد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمیده برغمدی
استادیار و دکتری مهندسی پزشکی و دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
الناز مومنی نسب
دانشجو کارشناسی ارشد مهندسی پزشکی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب