Development of Dual-Phase-Lag model for Conjugate Heat Transfer in Nanoscale MOSDevices

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 84

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISME23_680

تاریخ نمایه سازی: 9 دی 1403

چکیده مقاله:

The transient heat transfer in micro and nanochannelshas been investigated under the effect of dual-phase-lagheat conduction model. The velocity slip andtemperature-jump boundary conditions are considered inaddition to the conjugate heat transfer boundarycondition. The effects of physical parameters areinvestigated and the corresponding value of theseparameters has been proposed using the least-squarefitting method. The DPL model is revisited in order toinclude the convective term in material derivative. Thenthe resulting model has been used to investigate thethermal behavior of the metal oxide semiconductor(MOS) devices.

نویسندگان

J Ghazanfarian

Department of Mechanical Engineering, Faculty of engineering, University of Zanjan, Zanjan, Iran

M Moghaddam

Mechanical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran,

A Abbassi

Mechanical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran,