شبیه سازی دینامیک مولکولی نانوسوئیچ های خازنی ، تعیین ولتاژ پولین و محدوده ولتاژ کاری

از آنجایی که سوئیچ های نانو خازنی جهت جایگزینی سوئیچهای نیمه رسانای معمول بسیار مورد توجه هستند، تعیین ولتاژ پولین این سوئیچ ها در فرآیند طراحی به منظور یافتن محدوده کاری آنها امری ضروری محسوب می گردد. در این تحقیق ولتاژ پولین سوئیچ های مقیاس نانو متشکل از دو ورق تخت موازی تحت نیروی الکتروستاتیک ، بر مبنای مکانیک آماری مورد بررسی قرار گرفته است . جهت نیل به این هدف بر اساس روش دینامیک مولکولی دو صفحه ی مستطیلی موازی مقیاس نانو با بارهای الکتریکی مخالف مدلسازی شده است و تاثیر فاصله ی صفحات بر ولتاژ پولین به همراه پارامترهای فیزیکی و هندسی دیگر مورد بررسی قرار گرفته است . رویکرد اصلی این مقاله شبیه سازی دینامیک مولکولی با رویکرد اندرکنش میکروسکوپی در مدلسازی سوئیچ های مقیاس نانو بوده و نیروهای بین اتمی و کشش سطحی در محاسبات وارد شده است . بر طبق نتایج نحوهی تعریف شرایط مرزی و نیروهای بین اتمی و گپ خازن پارامترهایی تاثیرگذار بر ولتاژ پولین محسوب می گردند.

کلیدواژه ها:

مکانیک آماری ، ولتاژ پولین ، مدلسازی دینامیک مولکولی ، وان در والس