بهبود ساختار مبدل مهار نقطه خنثی تودرتو با قابلیت تولید بهره ولتاژبالا و تاثیر آن بر اکتیو و راکتیو

مبدل های چندسطحی با مبدل های سه سطحی معرفی شده در توسط Nabae آغاز به کار کردند. با افزایش تعداد سطوح بوسیله افزایش تعداد مرتبه های مبدل، امکان تولید ولتاژ درسطوح بیشتر و به تبع آن کاهش محتوای هارمونیکی ولتاژ خروجی میسر خواهد بود اما افزایش تعداد سطوح منجر به افزایش پیچیدگی سیستم کنترلی و مشکلات تعادلی ولتاژ خواهد شد. لازم به ذکر است که مبدل های چندسطحی هم می توانند به عنوان یکسوکننده و هم به عنوان اینورتر مورد استفاده قرار بگیرند. این تحقیق روی ساختارهای اینورتر چندسطحی متمرکز شده است با این حال، این ساختارها همچنین می توانند به صورت یکسوساز نیز بیان شوند، یکی از چالشهای تزریق توان به شبکه خطای حالت ماندگار و نوسانات موجود در توانهای اکتیو و راکتیو تزریقی به شبکه است. همچنین برای کنترل توان تزریقی به شبکه معموال از کنترل جریان استفاده می شود که با تغییرات ولتاژ شبکه، توان تزریقی به شبکه نیز تغییر میکند. در این پژوهش یک کنترل کننده مبتنی بر استراتژی روش کنترل مستقیم توان و اینورتر چند سطحی پیشنهاد می شوند تا خطای حالت ماندگار و نوسانات موجود در توانهای اکتیو و راکتیو را از بین ببرد. در روش کنترل مستقیم توان، توان اکتیو و راکتیو مستقیما به عنوان مرجع ردیابی مورد استفاده قرار میگیرند، که حتی با تغییرات ولتاژ شبکه میتوان توان موردنظر را تزریق کرد. در مطالعه حاضر به دنبال پاسخی برای این سوال اصلی است که چگونه ساختار بهبود یافته مبدل نقطه خنثی تو در تو با توانایی تولید بهره ولتاژ بالا تاثیر قابل توجهی در بهبود عملکرد بارهای اکتیو و راکتیو در کاربردهای با ولتاژ بالا خواهد داشت؟