منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رشیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

ترانزیستور بدنه نازک با منبع سیلیسید و با طول گیت ۱۵ نانومتر ساخته شده است. مکمل سیلیسید کم مانع ارتباط و مقاومت سری برای کاهش استفاده شد. حداقل طول گیت ترانزیستور را با T(ox)=۴۰Å نشان می دهند PMOS|I(dsat)|=۲۷۰μA/μm و NMOS|I(dsat)|=۱۹۰μA/μm با V(ds)=۱.۵V, |V(g)-Vt|=۱.۲V و (I(on)/I(off)>۱۰(۴ می باشد. یک مدل انتقال ساده برازش داده شده با داده های آزمایشی برای بررسی اثرات زنگ اکسید و دوپ شدگی استفاده می شود.

کلیدواژه ها:

منبع سیلیسید ، مکمل/ MOSFET ، درین ، گیت