بررسی خواص ترابرد حامل وابسته به اسپین در مولکول نیترید بور

در این مقاله، تاثیر ولتاژهای بایاس و گیت بر خواص ترابرد اسپین الکترون ها در اتصال تونل زنی مغناطیسی(MTJ) قفس های BnNn(۲۴و۱۲n=)، با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF) و نظریه ی لانداوئر - بوتیکر بررسی شده اند. با هم سطح سازی حالت پیوند از طریق پیکربندی ولتاژ گیت، قطبش اسپینی حامل ها در تونل زنی تشدیدی را می توان کنترل کرد. به ازای یک ولتاژ گیت مشخص بزرگترازVg =±۰.۵V، وسیله به وضعیت روشن رفته و به ازای ولتاژ بایاس پایین، جریان به صورت خطی افزایش می یابد. آهنگ مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR) برای مولکول های B۱۲N۱۲ و B۲۴N۲۴، به-ترتیب، دارای مقادیر بیشینه ی تقریبا ۷۵% و ۶۰% می باشد. مقادیر بیشینه ی TMR برحسب ولتاژ بایاس (Vb) برای مولکول B۱۲N۱۲ در ولتاژ v۶/۱ (v۶/۱-) و برای مولکول B۲۴N۲۴ در ولتاژ صفر ولت روی می دهد. علاوه براین، هنگامی که ولتاژ گیت اعمال می شود، آهنگ TMR کاهش می یابد. به عنوان یک نتیجه ی مهم، می توان گفت که آهنگ TMR با استفاده از ولتاژ بایاس و گیت کنترل می شود.

کلیدواژه ها:

ترابرد وابسته به اسپین ، قفس های نیترید بور ، مقاومت مغناطیسی تونل زنی ، تابع گرین غیرتعادلی