طراحی تقویت کننده توان بالا ۵۰ وات در فرکانس کاری ۱۹۳۰ تا ۱۹۹۰ مگاهرتز
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 140
فایل این مقاله در 19 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CELCONF03_027
تاریخ نمایه سازی: 25 مهر 1403
چکیده مقاله:
تقویت کننده های توان یک بخش کلیدی در هر فرستنده هستند ، که پر مصرف ترین بلوک فرستنده می باشند . کاهش این توان مصرفی و افزایش راندمان در دهه اخیر بسیار مورد توجه بوده است . تقویت کننده توان ، آلمان اصلی برای ساختن سیستم های ارتباطی بی سیم می باشد . در طراحی های فرستنده و گیرنده های بی سیم به دلیل خطی بودن بالا و راندمان نسبتا بالا کلاس AB استفاده می شود. هدف از این پایان نامه، طراحی یک تقویت کننده توان بالا با خروجی توان ۵۰ وات برای کاربرد در سیستم ارتباطی سلولار است. به منظور انتخاب نوع ترانزیستور، معیارهای فرکانس و میزان توان در نظر گرفته شدند و ترانزیستور LD MOS با پارت نامبر BLP۱۵M۹S۷۰ را که مناسب در فرکانس کاری و توان مورد نظر بود ، انتخاب شد . امپدانس ورودی و خروجی محاسبه شد و مدار مچینگ مناسب در smitchart طراحی شد. در این تقویت کننده توان، مدار فشرده با توان ۵۰ وات و بازده نزدیک به ۷۰ درصد مسئله تطبیق و مچینگ توان تقویت کننده در پهنای باند ۶۰ مگاهرتز حل شد. براساس نتایج این مقاله، تقویت کننده ، توان خروجی را بیش از ۴۸ وات (۴۹ دسی بل در متر) از ۱۹۳۰ تا ۱۹۹۰ مگاهرتز در پهنای باند آنی ۶۰ مگاهرتز نشان داد. بهره اشباع در این پهنای باند تقریبا ۱۴ dBm است و درایو ورودی ۲۶-۲۷ dBm برای توان خروجی اشباع مورد نیاز بود. در مدار تقویت کننده هزینه کم ، پیچیدگی متوسط فناوری RF معمولی استفاده شد. نتایج مقاله برای تقویت توان خطی تلفن همراه دیجیتالی مفید می باشد که از راندمان بالای یک تقویت کننده کلاس AB استفاده می کند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رضا کریم زاده
دانش آموخته کارشناسی ارشد دانشکده و پژوهشکده برق، جنگ الکترونیک و سایبری،دانشگاه امام حسین
مرتضی سپهوند
.استاد دانشگاه،دانشکده و پژوهشکده برق، جنگ الکترونیک و سایبری، دانشگاه امام حسین