بررسی تاثیر افزایش La-Sn بر ساختار فازی نانو ذرات هگزا فریت باریم سنتز شده به روش هم رسوبی

هگزا فریت باریم جانشین شده توسط La-Sn، LaySnxO19 با y<0.5 و x>0 توسط روش شیمیایی هم رسوبی سنتز شد . جهت سنتز نانوذرات مغناطیسی هگزافریت باریم از مواد اولیه کلریدی با نسبت مولی آهن به باریم ۱۱ استفاده گردید . فرآیند هم رسوبی در دمای محیط وتوسط رسوب دهنده NaOH انجام شد . نمونه های سنتز شده در دماهای 900 و 1000درجه سانتیگراد کلسینه شدند . تاثیر میزان عناصر جانشین شده بر ترکیب فازی و مورفولو ژی محصولات بترتیب با استفاده از تکنیک های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت . نتایج XRD نشان داد که نمونه هم رسوبی شده قبل از کلسیناسیون دارای ساختار آمورف می باشد . همچنین نتا یج XRD نشان می دهد با کلسیناسیون نمونه سنتز شده در دمای۰۰۹ درجه سانتیگراد، فاز هگزا فریت باریم به همراه فازهای میانی تشکیل شده و با افزایش x و y و نیز دمای کلسیناسیون مقدار فاز مغناطیسی هگزافریت باریم افزایش یافته و از مقدار فازهای میانی که غیر مغناطیس هستند، کاسته می شود . همچنین نتایج SEM دلالت بر کوچکتر شدن اندازه متوسط ذرات و تغییر نسبت قطر به ضخامت آنها با افزایش x و y دارد .

کلیدواژه ها:

هگزا فریت باریم جانشین شده ، هم رسوبی ، ضبط مغناطیسی