تحلیل ویژگی ضریب شکست موثر در موجبر استریپ سیلیکونی با روش المان محدود

در این مقاله، یک روش دقیق و صحیح المان محدود (FEM) بر پایه رابطه وردشی برداری میدان– H تمام بردار برای آنالیزموجبرهایی با ساختارسیلیکونی بر روی عایق ارائه شده است . این روش بر اساس استخراج مدلسازی دقیق از روش المانمحدود (FEM) به منظور دستیابی به طراحی موجبرها استوار است. در حقیقت، مطالعه خصوصیات موجبر استریپ سیلیکونیتوسط بردار میدان – H روش المان محدود صورت گرفته است. به عبارت دیگر، مشخصات نمایه های مختلف میدان- H برایبررسی اندازه حدی چنین موجبرهایی مورد مطالعه قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

موجبرهای نوری ، موجبر استریپ سیلیکونی ، روش المان محدود ، رابطه وردشی ، سیلیکون بر روی عایق