مکان یابی تخلیه جزیی در سیم پیچ ترانسفورماتور با استفاده از مدل مشروح وضرایب تبدیل ویولت

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 674

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE21_470

تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392

چکیده مقاله:

تخلیه جزیی ) - Partial Discharge-PD ) یکی از مهمترین عوامل خرابی در ترانسفورماتورهای قدرت است. وقتی ترانسفورماتور تحت تنش الکتریکی قرار میگیرد، تخلیه جزیی ممکن است اتفاق بیفتد. مکانیابی PD در نگهداری و نیز تعمیر ترانسفورماتورها از اهمیت بسزاییبرخوردار است. در این مقاله ابتدا با استفاده از مدل مشروح، سیمپیچ ترانسفورماتور در حالت گذرا مدل گردیده است. سپس پالسهای PD باعرض پالسهای مختلف به مدل اعمال شده است. در ادامه با توجه به این که سیگنالهایی که بعد از اعمال PD دریافت میشوند، ماهیت فرکانسی متغیری در طول زمان دارند، لذا روش نوینی را بر مبنای تبدیل ویولت و انرژی سیگنال، جهت مکانیابی PD ارائه میکنیم. در نهایت شبیهسازیها و آزمایشات بر روی یک سیمپیچ KV 02 لایهای انجام شده است تا اعتبار روش سنجیده شود.

نویسندگان

سیدمحمدحسن حسینی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب

سیدمحسن انجوی مدار

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب،

مهدی وکیلیان

دانشگاه صنعتی شریف