بررسی مروری معماری SOT_MRAM

با ظهور دستگاههای الکترونیکی همراه و دستی ، تقاضا برای سیستم های بسیار کوچک تر، سریع تر و بسیار کم قدرت، رو به افزایش است . با این حال، برای برآوردن چنین نیازهایی ، صنعت میکرو الکترونیک دیگر نمی تواند مانند دهه های گذشته به پیروی از قانون مور متکی باشد. کاهش اندازه دستگاه باعث شده است تا تراکم و سرعت مدارهای مجتمع هر ۱۸ ماه، دو برابر شود. این مسئله ، منجر به رشد تصاعدی مصرف برق استاتیک و دینامیکی CMOS در طول سالها شده است . در نتیجه ، حافظه های تعبیه شده، که برای بهبود بیشتر عملکرد مدارهای مجتمع استفاده می شوند و بخش عمدهای از ناحیه سیلیکونی مدارها را تشکیل می دهند، اکنون به یک سهم عمده در اتلاف انرژی تبدیل شدهاند. برای حل این مسائل در سیستم های یکپارچه ، چندین فناوری به طور فشرده برای جایگزینی حافظه های CMOS تعبیه شده، مورد بررسی قرار گرفته اند. در میان آنها، حافظه های مغناطیسی تصادفی ((MRAM، به عنوان امیدوارکننده ترین فناوری در نظر گرفته می شوند؛ زیرا به طور بالقوه، ترکیبی از زمان دسترسی سریع ، نشتی کم و استقامت خوب هستند. اگرچه MRAM گشتاور چرخشی (STT)، در حال حاضر بیشترین توجه را به خود جلب کرده است ، اما حافظه های گشتاور چرخشی Sot-MRAM که گاها از آنها، تحت عنوان ”Spin-Hall” یاد می شود؛ به لطف بالاترین سرعت کاری و استقامت واقعا بی نهایت خود، جلودار این فناوری ها هستند.