طراحی و شبیه سازی سویی چنوری مبتنیبر ماده تغییر دهنده فاز GST بر بستر نیمه عایقی InP در طول موج ۱۵۵۰ نانومتر

در این مقاله برای اولین بار یک سوییچ نوری مبتنی بر ماده تغییر دهنده فاز GST بر بستر /SI-InP در طول موج ۱۵۵۰ نانومتر طراحی و شبیه سازی شدهاست. بدین منظور ابتدا ساختار ارائه شده توسط نرم افزارهای کامسول و لومریکال به منظور محاسبه مودها و انتشار نور تحلیل شده و سپس برای عملکرد مطلوب صخامت مناسب برای برخی لایه ها بدست آورده شده است. برای کنترل انتشار نور در ساختار پیشنهادی از ماده تغییر دهنده فاز GST با ضخامت ۱۰ نانومتر استفاده شده است. این ماده دارای فازهای کاربردی پایدار (آمورف و بلوری مکعبی) می باشد که به ترتیب کمترین و بیشترین ضریب جذب نور را دارند. بنابراین در صورت انتخاب طول مناسب سوییچ نوری، هنگامی که ماده تغییر فاز GST در حالت های آمورف و بلوری مکعبی قرار گیرد، نور به ترتیب، با کمترین و بیشترین اتلاف انتشار خواهد یافت. در ادامه منحنی های مربوط به قسمت حقیقی و موهومی ضریب شکست موثر ساختار پیشنهادی برای مودهای TM در هریک ازفازهای آورف و بلورهای ماده تغییر فاز GST محاسبه شده است.

کلیدواژه ها:

نیمه عایق ، ایندیوم فسفاید ، ژرمانیوم آنتیموان تلوراید GST ، سوییچ های نوری ، طول موج ۱۵۵۰ نانومتر