Compare Noise Characteristic of DC-HEMT and HEMT
محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 945
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_222
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
چکیده مقاله:
we compare noise characteristics of Al0.3Ga0.7N /GaN/Al0.06Ga0.94N/GaN DC-HEMT and Al0.3Ga0.7N /GaN HEMT. The DC-HEMT exhibits high gain and high current and low noise.The noise characteristics are calculated as a function of gate voltage as well as drain voltage. The noise curve versus gatevoltage also shows three regions. And also the noise curve versus drain voltage shows two regions. The first region is related to thetriode region of the transistor where the noise decreases with increase of the drain voltage. The second region is related to the saturation region of the transistor where the noise is almost constant.
نویسندگان
Sonia sadeghi
University, South Tehran Branch
Mehdi vadizadeh
University, Abhar Branch, Abhar, Iran
Rahim faez
Sharif University of technology