سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی خواص الکترونی و گرمایی بلور SnN – InO با روش نظریه تابعی چگالی

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 82

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-24-2_006

تاریخ نمایه سازی: 3 مهر 1403

چکیده مقاله بررسی خواص الکترونی و گرمایی بلور SnN – InO با روش نظریه تابعی چگالی

در این پژوهش، با استفاده از نظریه تابعی چگالی، ویژگی­های الکترونی و ترموالکتریکی بلور دوبعدی SnN-InO مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوساختار SnN-InO، یک ماده ترموالکتریک لانه­زنبوری دوبعدی با گاف نواری غیرمستقیم eV ۵/۰ است. با استفاده از ساختار الکترونی به محاسبه ضرایب ترابردی ترموالکتریکی نظیر ضریب سیبک که تعیین کننده اصلی خواص ترموالکتریکی است، ضریب رسانندگی الکتریکی و گرمایی الکترونی و معیار شایستگی پرداخته می­شود. محاسبات نشان می­دهند که ضریب سیبک با افزایش دما، کاهش می­یابد و در محدوده تراز فرمی و انرژی­های منفی، بیشترین مقدار را دارد. همچنین تغییرات معیار شایستگی نسبت به دما بسیار اندک است، به­طوری­که در بازه دمایی ۴۰۰ کلوین به مقداری کمتر از ۲/۰، دستخوش تغییرات شده است. بنابراین نانوساختار SnN-InO، می­تواند به عنوان یک ماده ترموالکتریک خوب با معیار شایستگی ۹/۰ در دمای اتاق مورد توجه قرار گیرد.

کلیدواژه های بررسی خواص الکترونی و گرمایی بلور SnN – InO با روش نظریه تابعی چگالی:

نویسندگان مقاله بررسی خواص الکترونی و گرمایی بلور SnN – InO با روش نظریه تابعی چگالی

مجتبی اشهدی

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان

طاهره شعبان زاده حصاری

مرکز تحقیقات نانو، دانشکده علوم، دانشگاه فردوسی، مشهد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
N F Hinsche, et al., Phys. Rev. B ۸۶ (۲۰۱۲) ...
G Shi and E Kioupakis, Appl. Phys. ۱۱۷ (۲۰۱۵) ۰۶۵۱۰۳ ...
G J Snyder and E S Toberer, Mater. ۷ (۲۰۰۸) ...
K S Novoselov, et al., Science ۳۰۶ (۲۰۰۴) ۶۶۶ ...
H Sahin and S Ciraci, Rev. B ۸۴ (۲۰۱۱) ۰۳۵۴۵۲ ...
S Zhang, et al., Nano Lett. ۱۷ (۲۰۱۷) ۳۴۳۴ ...
S Zhang, et al., Soc. Rev. ۴۷ (۲۰۱۸) ۹۸۲ ...
H J Goldmid, Semimet. ۶۹ (۲۰۰۱) ۱ ...
J C Zheng, Phys. China ۳ (۲۰۰۸) ۲۶۹ ...
D R Zhu, et al., E: Low Dimens. Syst. Nanostructures ...
P Giannozzi, et al., Phys. Condens. Matter ۲۱ (۲۰۰۹) ۳۹۵۵۰۲ ...
۱۲ J P Perdew, K Burke, and M Ernzerhof, Rev. ...
G K H Madsen and D. J. Singh, Phys. Commun. ...
A K Bhojani, et al., Appl. Phys. ۱۳۵ (۲۰۲۴) ۰۹۵۱۰۶ ...
R B d Santos, et al., CrystEngComm ۲۳ (۲۰۲۱) ۶۶۶۱ ...
N F Hinsche, et al., Rev. B ۸۶ (۲۰۱۲) ۰۸۵۳۲۳ ...
N Gaonkar and R GVaidya, Lett. A ۳۸۴ (۲۰۲۰) ۱۲۶۹۱۲ ...
L D Zhao, et al., Nature ۵۰۸ (۲۰۱۴) ۳۷۳ ...
B Peng, et al., Rep. ۶ (۲۰۱۶) ۲۰۲۲۵ ...
G Ding, G Gao, and K Yao, Rep. ۵ (۲۰۱۵) ...
S Yabuuchi, et al., Phys. Express ۶ (۲۰۱۳) ۰۲۵۵۰۴ ...
J J Gong, et al., Chem. Chem. Phys. ۱۸ (۲۰۱۶)۱۶۵۶۶ ...
S Ouardi, et al., Rev. B ۸۲ (۲۰۱۰) ۰۸۵۱۰۸ ...
نمایش کامل مراجع