طراحی وشبیه سازی تقویت کننده قدرت باند S
محل انتشار: اولین همایش ملی برق و کامپیوتر جنوب ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,685
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
KHIAU01_174
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1392
چکیده مقاله:
تقویت کننده های توان پرمصرف ترین بخش فرستنده های RF هستند به دلیل پیشرفت تکنولوژی ساخت مدار مجتمع یکپارچه مایکروویو MMIC امروزه پروسه های ساخت متنوعی کاربردهای موج میلیمتری را میتواند حمایت کنند که درمیان آنها GaAs Phemt انتخابی است که به گستردگی برای موج میلیمتری تقویت کننده های قدرت بهدلیل سرعت بالا وولتاژ شکست نسبتا بالا مورد استفاده قرار میگیرد دراین مقاله یک تقویت کننده قدرت GaAs mmiC دوطبقه درفرکانسهای 2.6GHz تا4.2GHz طراحی و شبیه سازی میگردد این شبیه سازی با استفاده ازتکنولوژی 0.2um GaAs برای رسیدن به بهره سیگنال کوچک IP3=35dBmو P1dB=25dBmو 35dB و بازده تقریبا 35درصد صورت میگیرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :