بررسی خواص ساختاری و گاف نواری نانوساختارهای Zn۱-xNixO سنتز شده به روش سل-ژل
محل انتشار: دوفصلنامه اپتوالکترونیک، دوره: 6، شماره: 4
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 126
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-6-4_002
تاریخ نمایه سازی: 25 شهریور 1403
چکیده مقاله:
نانوساختارهای ZnxNi۱-xO با استفاده از روش سل ژل با موفقیت با استفاده از نمک نیترات روی در بازه درصد ناخالصی ۳ تا ۱۰ درصد سنتز شدند. نتایج XRD نشان داد که تغییر درصد میزان ناخالصی نتوانست ساختار هگزاگونال نانوساختارهای ZnxNi۱-xO)) تغییر دهد به این صورت که نانوساختارهای اکسیدروی آلاییده شده با نیکل همانند اکسید روی خالص ساختار هگزاگونال دارند که بیان می کند آلاییدگی نیکل در جایگاه روی ساختار کریستالی جای نشین شده است. همچنین در نمونه های آلاییده شده با %۱۰ و %۵/۷ x= ، قله مربوط به شبکه کریستالی اکسید نیکل در صفحه [۲۰۰] مشاهده شد. نتایج FT-IR دو پیک مربوط به دو مد کششی Ni-O و Zn-O در همه نانوساختارهای ZnxNi۱-xO را تایید کرد. همچنین دو گروه عاملی هیدروکسیل و کربوکسیل نیز بر روی سطح نمونه ها مشاهده شد. نتایج FESEM نشان داد نانوساختارهای ZnxNi۱-xO دارای شکل کروی و اندازه ذرات در ابعاد بین ۳۰ الی ۶۰ نانومتر هستند. بررسی نتایج طیف UV-Visible نشان داد که گاف نواری نانوساختارها به میزان آلاییده وابسته است، به طوری که با تغییر غلظت عنصر آلاینده نیکل مقدار گاف انرژی نانوساختارها تغییر کرد و بیشترین گاف انرژی مربوط به نمونه تهیه شده با درصد وزنی ۳ درصد آلاینده می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان