اثر ناخالصی آهن بر خواص اپتیکی و ساختاری لایه های نازک مس سلنید

در این کار، اثر ناخالصی Fe بر لایه های نازک نانوساختار CuSe در طی فرآیند رسوب گذاری مورد بررسی قرار گرفته است. ناخالصی Fe وارد شده در نانوساختار CuSe با غلظت های مختلف ۰۱/۰، ۰۲/۰ و ۰۳/۰ مول به روش رسوب گذاری محلول شیمیایی ساده ساخته شده است. با وارد کردن ناخالصی Fe با غلظت های مختلف به CuSe باعث ایجاد گذارهای جدیدی مربوط به FeSe در آن می شود که گاف نواری متعددی در نمونه می توان مشاهده نمود. طیف جذبی برای تعیین فاصله ی باند انرژی روش FESEM و EDAX برای آنالیز عنصری استفاده شده است. در بسیاری از نمونه ها دو انتقال به دلیل نقش آهن در CuSe وجود دارد بنابراین، انتقال های نوریدو گاف نواری مربوط به FeSe و CuSe هستند. یک روش واقعی برای تعیین انرژی شکاف نواری بدون در نظر گرفتن مفروضات مربوط به ساختار نیمه رسانا ضروری است که مدل Tauc روشی مناسب برای تعیین فاصله گاف نواری است. همچنین از طیف جذبی نمونه ها می توان انرژی اورباخ را بدون نیاز به تعیین ضریب جذب با توجه به ضخامت لایه ها مشخص کرد.

کلیدواژه ها:

آلایش آهن ، رسوب حمام شیمیایی ، گاف نواری انرژی ، مدل Tauc ، انرژی اورباخ