تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا

سال انتشار: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,712

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PSC19_009

تاریخ نمایه سازی: 12 آذر 1385

چکیده مقاله:

پوشش عایق سطح جانبی در وریستورهای اکسید روی به صورت ترموست، لعاب یا پوششهای سرامیکی قابل اعمال می باشند . در پوششهای سربی مرسوم که بر روی قرص زینتر شده اعمال می گردند، با وجود دمای زینتر پایین، دو سیکل حرارتی مجزا مورد نیاز است . از طرف دیگر بخاطر سمی بودن ترکیبات سربی و مشکلات فریت سازی ، همواره حذف سرب از اجزاء پوشش مورد نظر بوده است . مزیت ردة جدید پوششهای مورد استفاده، یعنی پوشش های دما بالا، در اعمال دوغاب بر روی نمونة خام و پخت همزمان پوشش و بدنه در همان درجه حرارت زینتر بدنة ZnO می باشد که صرفه اقتصادی و زمانی را به دنبال خواهد داشت . در این مقاله، تهیه و اعمال پوششهای بر پایه SiO2 و Fe2O3 ارائه شده و همچنین تاثیر افزودن Bi2O3 ، B2O3 و Al2O3 بر خواص فیزیکی و الکتریکی پوشش قرصهای بهینه سازی شده، مورد بررسی قرار گرفته است . نتایج نشان میدهد که تمامی پوشش های تهیه شده ازواکنش پذیری خوبی با سطح بدنه برخوردارمی باشند . تصاویرحاصل از SEM پوشش ها وبدنه بهینه سازی شده نیز نتایج خوبی از نظر واکنش پذیری پوشش و بدنه و وجود تخلخل در نمونه ها ارائه می دهد .

نویسندگان

محبوب بلندی

دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف، پژوهشگاه نیرو ایران

زیارتعلی نعمتی

دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف

محمدرضا مهندس

پژوهشگاه نیرو ایران

مجید مرکزی

پژوهشگاه نیرو ایران