تاثیر دقت محاسبات کوپلاژ سلفی و خازنی بین سیم پیچهای HV و LV مدل مشروح ترانسفورماتور بر دامنه اضافه ولتاژهای کلیدزنی و صاعقه

با توجه به اهمیت ترانسفورماتورهای قدرت، حفاظت آنها در مقابل انواع اضافهولتاژهای شبکه، ضروری است . پدیده صاعقه و کلیدزنی منجر به بروز اضافه ولتاژهای گذرایی در ترمینال ترانسفورماتور می شود . مهندسین طراح ترانسفورماتور عمدتا از برنامههای شبیهساز همانند MATLAB و EMTP ، برای شبیه سازی مدل مشروح استفاده می نمایند . به کمک این مدل ها می توان دامنه اضافه ولتاژهای ناشی از صاعقه و کلیدزنی را محاسبه نمود . بر این اساس دقت محاسبات این مدل، از جمله کوپلاژ سلفی و خازنی بین سیم پیچهای فشارقوی و فشارضعیف می تواند بر دامنه اضافه ولتاژ های کلیدزنی و صاعقه تاثیرات زیادی داشته باشد و طراحی سیم پیچ را تحت تاثیر قرار دهد . در این مقاله حساسیت رفتار ترانسفورماتور نسبت به تغییرات القای متقابل و کوپلاژ خازنی بین سیم پیچهای فشارقوی و فشارضعیف، در حین بروز حالات گذرا بررسی شده است . بر این اساس، یک مدل مشروح نمونه با پارامترهای واقعی مورد ارزیابی قرار گرفته است . نتایج شبیه سازی نشان می دهد که اگر این دو پارامتر مستقلا افزایش یابند، دامنه اضافه ولتاژ القا شده در سیم پیچ LV نیز افزایش می یابد . از طرف دیگر، افزایش ( کاهش ) کوپلاژ خازنی در اثر کاهش ( افزایش ) فاصله فیزیکی بین دو سیم پیچ صورت میگیرد . این کاهش ( افزایش ) فاصله سبب افزایش ( کاهش ) همزمان القای متقابل بین دو سیم پیچ میشود . به دلیل این ارتباط، تغییر همزمان این دو پارامترنیز،باید مطالعه شود . در این مقاله نشان داده شده است که افزایش همزمان و متناسب این دو پارامترباعث تغییر بیشتری در دامنه اضافه ولتاژ انتقالی خواهد داشت .

کلیدواژه ها:

ترانسفورماتور ، مدل مشروح ، القای متقابل ، کوپلاژ خازنی و EMTP