Modeling at the nanometric scale of interfacial defects of a semiconductor heterostructure in the isotropic and anisotropic cases for the study of the influence of stresses.
محل انتشار: فصلنامه مکانیک جامد، دوره: 16، شماره: 1
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 192
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JSMA-16-1_004
تاریخ نمایه سازی: 29 مرداد 1403
کلیدواژه ها:
نویسندگان
A Boussaha
Laboratory LAMSM, Mechanical Engineering Department, Faculty of Technology, University of Batna ۲ Mostafa Ben Boulaid, Batna, Algeria
Rafik Makhloufi
Mechanical Engineering Department, University of Batna۲, Algeria
R Benbouta
Department of Mechanical Engineering, Faculty of Technology, University of Batna۲, Algeria
Mourad BRIOUA
Faculty of Technology, University of Batna ۲, Algeria