طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانوسیم با سیلیکون (۱۰۰)

هدف از این مقاله استفاده از بسته نرم افزاری Atomistic Tool Kit، برای طراحی و شبیه سازی دیوایس نانوسیم با سیلیکون(۱۰۰) می باشد. ساختار دیوایس ، متشکل از سه قسمت الکترود سمت چپ ، منطقه مرکزی و الکترود سمت راست و یک ناحیه پراکندگی در بین الکترودها می باشد. طرح ایجاد شده به صورت سیلندری بوده که بسیاری از بخش مرکزی نانوسیم را پوشش می دهد. نمودار های طیف انتقال، ولتاژ - جریان، آهنگ تغییرات جریان و چگالی متفاوت الکترون GNRها شبیه سازی و نتایج حاصله مورد بررسی قرار گرفته است .

کلیدواژه ها:

دیوایس ، سیلیکون ، نانوریبون گرافن ، طیف انتقال