طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانوسیم با سیلیکون (۱۰۰)
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 33
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
STCONF07_302
تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1403
چکیده مقاله:
هدف از این مقاله استفاده از بسته نرم افزاری Atomistic Tool Kit، برای طراحی و شبیه سازی دیوایس نانوسیم با سیلیکون(۱۰۰) می باشد. ساختار دیوایس ، متشکل از سه قسمت الکترود سمت چپ ، منطقه مرکزی و الکترود سمت راست و یک ناحیه پراکندگی در بین الکترودها می باشد. طرح ایجاد شده به صورت سیلندری بوده که بسیاری از بخش مرکزی نانوسیم را پوشش می دهد. نمودار های طیف انتقال، ولتاژ - جریان، آهنگ تغییرات جریان و چگالی متفاوت الکترون GNRها شبیه سازی و نتایج حاصله مورد بررسی قرار گرفته است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید معصومی
گروه مهندسی برق الکترونیک ، مرکز تسوج، دانشگاه آزاد اسلامی ، تسوج، ایران