طراحی و بهینه سازی یک تقویت کننده سه طبقه با استفاده از تکنیک گین بوستینگ با بهره بسیار بالا در فرآیند CMOS ۱۸۰ نانومتری برای بارهای خازنی بزرگ

مشکلات ناشی از استفاده از ترانزیستورهای ماسفت با اندازه نانو متری در طراحی تقویت کنندههای چند طبقه منجر به نیاز فوری به تکنیک های طراحی جدید برای تولید تقویت کننده هایی با معیارهای با کارایی بالا ، مناسب برای کاربردهای فرکانس بسیار بالا می شود.در این مقاله ساختار یک تقویت کننده سه طبقه با جبران ساز میلر کسکود،به همراه یک ساختار دو مسیره نامتقارن با استفاده از ترانزیستور CMOS ، با طول کانال ۱۸۰ نانومتری طراحی و نتایج آن مورد بررسی قرار گرفته است .با استفاده از این تقویت کننده سه طبقه با توجه به تکنیک گین بوستینگ توانستیم به مداری با توان مصرفی پایین و پهنای باند مناسب دست یابیم .نتایج به دست آمده با شبیه سازی نرم افزار HSPICE نشان می دهد که تقویت کننده طراحی شده توانایی به دست آوردن گین ولتاژDC تا ۱۳۸ دسی بل و پهنای باند ۲۳ مگا هرتز و حاشیه فاز نسبتا مناسب ۸۱ درجه و توان مصرفی ۲۸۳.۰ میلی وات را دارا می باشد.که نسبت به طراحی های مشابه از گین نسبتا بالاتر و پهنای باند مناسب تر برخوردار می باشد.

کلیدواژه ها:

فرآیندCMOS ، تقویت کننده سه مرحله ای ، گین بوستینگ ، جبران ساز میلر ، توان مصرفی