طراحی برای بهبود کلی تقویت کنندههای OTA کسکود تاشده تک مرحله ای خود جبران شده باگین بالا در فرآیند CMOS ۶۵ نانومتری

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 431

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

STCONF07_186

تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1403

چکیده مقاله:

مشکلات ناشی از استفاده از نانو ماسفت ها در طراحی تقویت کنندههای ترانس رسانایی عملیاتی (OTA) منجر به نیاز فوری به تکنیک های طراحی جدید برای تولید OTA های با معیارهای با کارایی بالا ، مناسب برای کاربردهای فرکانس بسیار بالا می شود.در این مقاله ساختار یک تقویت کننده OTA کسکود تاشده خودجبران با استفاده از ترانزیستور CMOS ، با طول کانال ۶۵ نانومتری طراحی و نتایج آن مورد بررسی قرار گرفته است .با استفاده از تقویت کننده OTA کسکود تاشده خودجبران توانستیم به مداری با توان مصرفی پایین و پهنای باند مناسب دست یابیم .نتایج به دست آمده با شبیه سازی نرم افزار HSPICE نشان می دهد که تقویت کننده طراحی شده توانایی به دست آوردن گین ولتاژDC تا ۷۷ دسی بل و پهنای باند گین ۵۳۷ مگا هرتز و حاشیه فاز نسبتا مناسب ۵۲ درجه و توان مصرفی ۹۷.۰ میلی وات را دارا می باشد.که نسبت به طراحی های مشابه از گین نسبتا بالاتری برخوردار می باشد.

کلیدواژه ها:

فرآیندCMOS ، تقویت کننده هدایت انتقالی ((OTA ، گین ، کاسکد تاشده((FC ، توان مصرفی

نویسندگان

اصغر زارعپور

دانشجوی ارشد مهندسی برق-مدارهای مجتمع الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحدبندرعباس،هرمزگان،ایران

محمدهادی مزیدی

استادیار، گروه برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد قشم،هرمزگان،ایران