بررسی رخداد سوختن تک حادثه ای (SEB) در یک دیود پین ولتاژ- بالا به کمک شبیه سازی
محل انتشار: فصلنامه علوم و فناوری فضایی، دوره: 17، شماره: 3
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 137
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JSST-17-3_006
تاریخ نمایه سازی: 16 مرداد 1403
چکیده مقاله:
یکی از رخدادهایی که به طور گسترده بر عملکرد قطعات ولتاژ- بالا در کاربردهای فضایی تاثیر می گذارد، رخداد سوختن تک حادثه ای (SEB) است. در این پژوهش، وقوع رخداد SEB در یک دیود PiN ولتاژ - بالا با استفاده از نرم افزار Silvaco TCAD مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور در ابتدا، ساختار یک دیود پین با ولتاژ شکست ۳/۳ کیلوولت به کمک مدل های فیزیکی مناسب در نرم افزار، شبیه سازی و منحنی مشخصه آن به دست آورده شد. در گام بعد، یون های فرودی کربن با مقادیر مختلف LET به آن تابانیده و تغییرات ایجاد شده در غلظت حامل ها، همچنین جریان و میدان الکتریکی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان دادند پس از برخورد یو ن ها، میدان الکتریکی به شکل موضعی افزایش یافته و غلظت حامل ها زیاد می شود که منجر به افزایش شدید جریان و نیز افزایش دما فراتر از نقطه ذوب سیلیکون می گردد. این شرایط نشان دهنده از کارافتادگی و سوختن دائمی دیود در نتیجه ایجاد گرمایش موضعی است که به واسطه تکثیر بسیار زیاد حامل ها در میدان الکتریکی بالای درون قطعه به وجود آمده است. نتیجه حاصل، با آزمون های تجربی که پیشتر توسط محققان انجام شده بود، مطابقت دارد. بدین ترتیب، توانمندی نرم افزار Silvaco برای شبیه سازی رخداد SEB مورد تایید قرار می گیرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
معصومه سلیمانی نیا
دکتری ، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
