نقش لایه پشتیبان در رشد نانولوله کربنی تراز عمودی در روش CVD

این مقاله نقش لایه پشتیبان در سنتز نانو لوله های کربنی CNT، به خصوص نانو لوله های کربنی همتراز عمودی VACNTs توسط روش رسوب بخار شیمیایی CD بررسی می کند. در این مقاله، تاثیر عوامل مختلفی شامل تکنیک لایه نشانی و ضخامت لایه پشتیبان، و افزودن گازهای خاص در طول فرآیند لایه نشانی بر هسته زایی و رشد نانولوله هایکربنی بررسی می شود. بررسی دقیق این عوامل نقش اساسی در تعیین ویژگی ها و رشد نانولوله های کربنی دارد. همچنین،استفاده ازلایه های پشتیبان مختلف، نظیر آلومینیوم و تیتانیوم، تاثیری مهمی در ساختار نانولوله های کربنی دارد. با بررسی تقریبا ۵۰۰ مقاله به این نتیجه رسیدیم که آلومینا و سیلیکا بیشترین استفاده را در فرآیند CVD داشته است. در نظر گرفتن این نکات به بهینه سازی فرآیند رشد نانولوله های کربنی می تواند کمک کند

کلیدواژه ها:

نانولوله های کربنی همتراز عمودی ، رسوب بخار شیمیایی ، لایه پشتیبان