پوشش دهی با ضخامت نانومتری توسط تکن یک لایه نشانی اتمی
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 110
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SDNCONF12_001
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1403
چکیده مقاله:
رسوب لایه اتمی(ALD) یک تک نیک رسوب لایه فوق نازک است که به دلیل توانایی های متمایز خود کاربردهای زیادی پیدا کرده است. لایه نشانی اتمی قادر است یک پوشش یکنواخت فیلم منسجم با ضخامت قابل کنترل، بر روی هر سطحی حتی سطوح پیچیده سه بعدی، ایجاد کند. همچنین می توانند کارایی دستگاه های الکترونیکی را بهبود بخشند. ظهور پدیده پوشش دهی لایه نشانی اتمی امروزه هم برای درک بنیادی چگونگی سنتز مواد و هم برای کاربردهای عملی گوناگون، به ویژه در نانو الگوهای پیشرفته برای میکروالکترونیک، سیستم های ذخیره انرژی، نمکزدایی، کاتالیزور و زمینه های پزشکی توانسته توجه زیادی را به خود جلب سازد. این پیشرفت های خلق شده در این تکنیک، چشم اندازی از این فناوری در حال ظهور در مقایسه با سایر روش های رسوب فیلم ارائه می دهد. در این پژوهش به تعریف کلی از تکنیک رسوب دهی شیمیایی و روش اجرایی آن و نمونه های خاصی ساخته شده با این تکنیک پیشرفته اشاره می کنیم.
نویسندگان
پریسا گنجی نیا
دانشجو دکتری نانوفناوری دانشگاه سمنان
محمد دهقانپور
فارغ التحصیل نانوفناوری دانشگاه گیلا ن