جذب سطحی بیسفنول از نمونه های آبی بر روی سطح گرافن اکسیدمغناطیسی

در پژوهش حاضر ابتدا گرافن اکسید مغناطیسی تهیه گردید؛ سپس جذب سطحی بیسفنول ای بر روی آن بررسی شد. میانگین اندازه ذرات و ریخت شناسی آنها با استفاده از روش های میکروسکوپ الکترونی پویشی و پراش پرتو ایکس مشخص گردید. اثر پارامترهای مختلف از قبیل: دما، زمان هم زدن، مقدار گرافن اکسید مغناطیسی، غلظت بیسفنول ای و pH محلول بر روی میزان جذب بیسفنول ای بررسی شد. معادالت ایزو ترم بهکاررفته برای توصیف داده های تعادلی نشان میدهد نتایج با ایزو ترم النگمویر تطابق بهتری دارد. ماکزیمم ظرفیت جذب جاذب ۱۵/۳ میلی گرم بر گرم است. سینتیک جذب بیسفنول بر روی جاذب گرافن اکسید مغناطیسی نانو ساختار با مدل سینتیک جذب شبه درجه اول، شبه درجه دوم بررسی شد که نشان داد سینتیک این فرایند به خوبی از مدل سینتیکی شبه درجه دوم پیروی میکند. پارامترهای ترمودینامیکی محاسبه شده نشان می دهد که فرایند جذب سطحی بیسفنول بر سطح گرافن اکسید مغناطیسی گرماگیر است و تغییرات آنتالپی جذب ۱۴ /۸۲ کیلوژول بر مول می باشد. مطالعه واجذب بیسفنول ای با واکنشگرهای مختلف انجام شد و مشخص گردید که بیسفنول ای با استفاده از محلول سدیم هیدروکسید ۰/۱ مول بر لیتر از سطح گرافن اکسید مغناطیسی واجذب می شود و جاذب مجددا قابل استفاده می باشد.

کلیدواژه ها:

بیسفنول ، اکسید مغناطیسی ، سطح گرافن