بهینه سازی تقویت کننده FCOTA تک مرحله ای خود جبران، با گین بالا و توان مصرفی کم مبتنی بر جایگزینی ترانزیستور های CNTFET به جای MOSFET

این مقاله در خصوص معماری تقویت کننده OTA کسکود تاشده یک مرحله ای می باشد که کلیه ی ترانزیستور های MOSFET آن با مدل ترانزیستورهای اثر میدانی ساخته شده با نانو لوله های کربنی (CNTFET) جایگزین گردیده است. در این مقاله ساختار یک تقویت کننده OTA کسکود تاشده خودجبران با استفاده از ترانزیستور CNTFET طراحی و نتایج آن مورد بررسی قرار گرفته است.با استفاده از تقویت کننده OTA کسکود تاشده خودجبران مبتنی بر ترانزیستور CNTFET توانستیم به مداری با توان مصرفی بسیار کم و پهنای باند مناسب دست یابیم.نتایج به دست آمده با شبیه سازی نرم افزار HSPICE نشان می دهد که تقویت کننده طراحی شده توانایی به دست آوردن گین ولتاژ DC تا ۸۱ دسی بل و پهنای باند گین واحد ۲۵ مگا هرتز و حاشیه فاز نسبتا مناسب ۹۰ درجه می باشد.که نسبت به طراحی های مشابه از گین نسبتا بالاتر و توان مصرفی بسیار پایین برخوردار می باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورCNTFET ، توان مصرفی ، کسکود تاشده(FC) ، گین ، OTA