طراحی تقویت کننده عملیاتی با بهره بالا مبتنی بر ساختار چند مسیره در فناوری ۱۸۰ نانومتر سی ماس

تقویت کننده های عملیاتی را می توان یکی از عناصر مهم سیستم های مجتمع دانست. تقویت کننده های عملیاتی با بهره DC بالا و سرعت زیاد در مواردی ازقبیل مبدل های آنالوگ به دیجیتال با دقت زیاد، مبدل های دیجیتال به آنالوگ، منابع جریان و مدارهای نمونه گیر-نگه دار کاربرد دارند. هدف از انجام این پژوهش، ارائه یک تقویت کننده عملیاتی جدید با بهره DC بالا است. برای این منظور از تکنیک ساختار چندمسیره استفاده می شود تا هدایت انتقالی و در نتیجه بهره DC افزایش یابد. با استفاده از مدار پیشنهادی، پارامترهای دیگر تقویت کننده عملیاتی نظیر پهنای باند بهره واحد و پایداری دستخوش تغییر نمی شوند. نتایج شبیه سازی در فناوری ۱۸/۰ میکرومتر و با ولتاژ تغذیه ۸/۱ ولت توسط نرم افزار Cadence در گوشه های دمایی و فناوری ساخت انجام می شود. نتایج شبیه سازی بیانگر کارایی بهتر تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی نسبت به ساختارهای موجود است. برای این منظور از ضرایب شایستگی نیز جهت مقایسه نتایج استفاده می گردد. بهره DC مدار تقویت کننده برابر ۹۷ دسی بل است.

کلیدواژه ها:

واژه های کلیدی: تقویت کننده های عملیاتی ، سیستم های مجتمع ، بهره ، ساختار چندمسیره ، پایداری مدار