اکسیداسیون حرارتی ساختار های سیلیکونی نا هموار دو بعدی

با ادامه کوچک سازی و توسعه دستگاه های جدید، اکسیداسیون غیریکنواخته سه بعدی ساختارهای سیلیکونی اهمیت بیشتری پیدا کرده است. با این حال، درک این پدیده به دلیل داده های آزمایشگاهی ناکافی و مشکلات در شبیه سازی عددی دوبعدی موانعی داشته است. این مقاله روش تجربی نوآورانه ای را ارائه می دهد که اطلاعات جامعی در مورد اکسیداسیون ساختارهای سیلیکونی استوانه ای با شعاع کنترل شده فراهم می آورد. نتایج به صورت کمی نشان می دهند که اکسیداسیون سطوح منحنی سیلیکون در دماهای پایین و منحنی های تیز کاهش می یابد، و کاهش بیشتری بر ساختارهای مقعر نسبت به ساختارهای کروی مشاهده می شود. این یافته ها توسط یک مدل فیزیکی تبیین می شوند که بر اثرات استرس بر پارامترهای رشد اکسید تمرکز دارد.

کلیدواژه ها:

کلمات کلیدی : اکسیداسیون سیلیکون ، اکسیداسیون دو بعدی ، اکسیداسیون غیریکنواخت ، پارامترهای رشد اکسید ، سطوح منحنی سیلیکون ، تنش در اکسیداسیون ، نازک شدن اکسید دروازه ، اکسیداسیون محلی (LOCOS) ، پلی سیلیکون