سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

اثر دمای اکسیاسیون لایه های نازک Zn فلزی بر روی رشد نانو سیم های اکسید روی و مشخصه یابی آنها

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,038

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IMES05_454

تاریخ نمایه سازی: 23 خرداد 1392

چکیده مقاله اثر دمای اکسیاسیون لایه های نازک Zn فلزی بر روی رشد نانو سیم های اکسید روی و مشخصه یابی آنها

در این پژوهش نانو سیم های اکسید روی با خواص کریستالی بالا با استفاده از اکسیداسیون گرمایی لایه های نازک Zn فلزی رشد داده شدند. فیلم های Zn با ضخامت 250 نانو متر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانو سیم های اکسید روی، فیلم های Zn لایه نشانی شده در بازده دمایی 450 درجه سانتیگراد تا 650 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت تحت اتمسفر هوای خشک با استفاده از یک کوره افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نمونه ها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص گردید و نتایج نشان داد که با افزایش دمای اکسیداسیون، ابعاد نانو سیم های اکسید روی افزایش می یابد و فیلم نازک Zn اکسید شده در دمای 600 درجه سانتیگراد، دارای بیشترین میزان شکل گیری نانو سیم های اکسید روی می باشد. نتایج حاصل از آنالیز XRD همچنین نشان داد نانو سیم های اکسید روی دارای ساختار ورتسایت با پیک ترجیحی قوی (002) اکسید روی می باشد و هیچ پیک اضافه ای ناشی از ناخالصی در طیف پراش اشعه x نمونه ها موجود نمی باشد. اندازه دانه بدست آمده از تحلیل طیف پراش اشعه x نیز نشان داد که با افزایش دمای اکسیداسیون از 450 درجه سانتیگراد به 600 درجه سانتیگراد، ابعاد نانو سیم های اکسید روی افزایش می یابد. آنالیز EDX از نمونه ها مشخص کرد که اکسیژن و روی با نسبت اتمی 1 به 1 بر روی نمونه وجود دارند. طیف فتولومینسانس نانو سیم ها به منظور بررسی خواص اپتیکی نمونه ها اندازه گیری شد و نتایج نشان داد که یک پیک قوی در 377nm متناظر با گسیل لبه باند نزدیک و یک پیک پهن در 522nm متناظر با گسیل سبز وجود دارد که نشان دهنده کیفیت کریستالی خوب و نقایص ساختاری کم نمونه ها می باشد.

کلیدواژه های اثر دمای اکسیاسیون لایه های نازک Zn فلزی بر روی رشد نانو سیم های اکسید روی و مشخصه یابی آنها:

نویسندگان مقاله اثر دمای اکسیاسیون لایه های نازک Zn فلزی بر روی رشد نانو سیم های اکسید روی و مشخصه یابی آنها

وحید واحدی

دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک حالت جامد- گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه،

علی ریحانی

دکترای تخصصی فزیک ماده چگال و عضو هیئت علمی- پژوهشگاه علوم و فنون هسته

محمدرضا خانلری

دکترای تخصصی فزیک ماده چگال و عضو هیئت علمی، دانشیار- گروه فیزیک، دانشک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
R. Wahab, S.G. Ansari, Y.S. Kim, H.K. Seo, G.S. Kim, ...
K. Ikegami, T. Yoshiyama, K. Maejima, H. Shibata, H. Tampo, ...
C.H. Chen, S.J. Chang, S.P. Chang, M.J. Li, I.C. Chen, ...
Q. Wan, _ Lin, X.B. Yu, T.H. Wang, Appl. Phys. ...
X.F. Chu, D.L. Jiang, A.B. Djurisic, H.L. Yu, Chem. Phys. ...
Y. G. Wang, S. P. Lau, H. W. Lee, S. ...
Kong YC, Yu DP, Zhang B, Feng W, Feng SQ ...
Kong XY, Ding Y, Yang RS, Wang ZL, Science 303 ...
J.L. Campbell, M. Breedon, K. Latham, K.K. Zadeh, Electrowetting of ...
Z. W. Liu, S. W. Yeo, C. K. Ong, J. ...
S.W. Kim, S. Fujita, H.K. Park, B. Yang, H.K. Kim, ...
B.Q. Cao, M. Lorenz, A. Rahm, H. Wenckstem, C. Czekalla, ...
A. Chiappini, C. armellini, A. Chiasera, M. Ferrari, R. Guider, ...
Moser, G. Nunzi Conti, S. Pelli, R. Retoux, G.C. Righini, ...
J. Aramovich, A. Oritiz, R. H. Bude, J. Vac. Sci. ...
G. G. Rusu, M. Rusu, N. Apetroaei, Thin Solid Films ...
Y.G. Wang, S.P. Lau, H.W. Lee, S.F. Yu, B.K. Tay, ...
S.J. Chen, Y.C. Liu, J.G. Ma, D.X. Zhao, Z.Z. Zhi, ...
G. G. Rusu, Mihaela Girtan, M. Rusu, Superlattices and Microstructure ...
M.Girtan, G. G. Rusu, Sylvie Dabos -Seignon, Mihaela Ruso, Applied ...
Geun-Hyoung Lee, Electronic Materials Letters, 4 (2010) 155-159. ...
B.D. Cullity, Elements of X-ray Diffractions, Addis on-Wesley, Reading, MA, ...
A. Umar, E. K. Suh, Y. B. Hahn, Solid state ...
D.M. Bagnall, Y.F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, ...
SH. Kim, A. Umar, Y. B. Hahn, Korean J. Chem. ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "اثر دمای اکسیاسیون لایه های نازک Zn فلزی بر روی رشد نانو سیم های اکسید روی و مشخصه یابی آنها" توسط وحید واحدی، دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک حالت جامد- گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، ؛ علی ریحانی، دکترای تخصصی فزیک ماده چگال و عضو هیئت علمی- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ؛ محمدرضا خانلری، دکترای تخصصی فزیک ماده چگال و عضو هیئت علمی، دانشیار- گروه فیزیک، دانشک نوشته شده و در سال 1390 پس از تایید کمیته علمی پنجمین همایش مشترک انجمن مهندسی متالورژی ایران و انجمن ریخته گری ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله اکسید روی، نانو سیم، اکسیداسیون گرمایی، فیلم نازک Zn، تبخیر در خلاء هستند. این مقاله در تاریخ 23 خرداد 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1038 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این پژوهش نانو سیم های اکسید روی با خواص کریستالی بالا با استفاده از اکسیداسیون گرمایی لایه های نازک Zn فلزی رشد داده شدند. فیلم های Zn با ضخامت 250 نانو متر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانو سیم های اکسید روی، فیلم های Zn لایه نشانی شده ... . برای دانلود فایل کامل مقاله اثر دمای اکسیاسیون لایه های نازک Zn فلزی بر روی رشد نانو سیم های اکسید روی و مشخصه یابی آنها با 11 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.