طراحی و شبیه سازی تقویت کننده فیدبک دار فرکانس بالا با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کربنی (CNTFET)

یک اختراع مهم و تکرار نشدنی در بخش فناوری نانو، نانولوله های کربنی (CNTs) هستند. ساختار داخلی نانولوله های کربنی تقربای مشابه آرایش اتمی هسته گرافیت و الماس و فولرین و گرافن است . در واقع کربن تنها عنصر تغییرپذیری است که می تواند در چهار حالت صفر بعدی تا سه بعدی ساخته شود. تکامل CNTها در سال ۱۹۹۱ آغاز شد. نانولوله های کربنی دارای برخی از مزایا و ویژگی های مهمی مانند وزن کم ، اندازه کوچک ، استحکام خوب و رسانایی بالایی هستند. در این مقاله مدار پیشنهادی شبیه سازی شده، براساس ترانزیستورهای اثرمیدان نانولوله های کربنی (CNTFET)، یک مدار تقویت کننده ی دو طبقه ی کم نویز (LNA)می باشد. که تطبیق امپدانس برای یک بازه زمانی گستره فرکانسی تضمین می شود. برای افزایش بهره مدار از تقویت کننده دوطبقه استفاده کردهایم . و ضرایب پراکندگی را برای این مدار بدست آوردیم . هدف ما از طراحی و شبیه سازی این مدار ایجاد یک تقویت -کنندهی کم نویز با فرکانس بالا می باشد، پاسخ فرکانسی تقویت کننده به صورت میانگذر که حداکثر فرکانس میانی آن ۹۰۰ مگاهرتز است ، با نرم افزار Hspic شبیه سازی و اجرا شده است . در واقع این تقویت کننده دو طبقه عملکرد دستگاههایی که به عنوان بلوک اصلی مدارات و سیستم های RF هستند را نشان می دهد .