رشد لایه نازک Cds بر روی نانوصفحات اکسید تیتانیوم و بررسی خواص فیزیکی

بررسی اثر زیرلایه نانو صفحات (TiO(۲ بر روی خواص فیزیکی CdS که در آن رشد نانو صفحات (TiO(۲ و سپس رشد لایه نازکCdS بر روی نانو صفحات (TiO(۲ و در نهایت خواص فیزیکی CdS مورد بررسی قرار گرفته است . در ابتدا نانو صفحات (TiO(۲ توسطدستگاه CVD بر روی زیرلایه Ti در شرایط مختلف رشد داده شده اند. به گونه ای که در نمونه A گاز آرگون با خلوص ۹۹/۹۹%به مدت ۴ساعت با فشار ۲۰۰Sccm وارد محفظه می شود و سپس گاز آرگون با خلوص ۹۹/۹۹% با فشار ۲۰۰Sccm وارد محفظهاستون شده ودما با نرخ ۳۰C˚/min افزایش می یابد تا به دمای ۸۵۰ درجه سانتی گراد رسید و سپس به مدت ‎۹۰ دقیقه دردمای ۸۵۰ درجه سانتی گراد نگه داشته می شود تا در نهایت تحت گاز آرگون به دمای محیط برسد . بدین ترتیب دو نمونه دیگرنیز با تغییر گاز داخل محفظه به اتانول، برای نمونه B و اکسیژن کاملا خالصT برای نمونه C در شرایط دمایی مشابه با نمونه A،تهیه شده اند. نتایج بدست آمده و تحلیل های انجام شده بر روی نمونه ها با استفاده از آنالیزهای XRD و FESEM باعث شد تالایه نشانی CdS بر روی نمونه A (با توجه به رشد مناسب تر نانو صفحات) و با استفاده از روش کندوپاش انجام شود . بررسینتایج آنالیزهای XRD و FESEM از نمونه لایه نشانی شده با CdS نشان از لایه نشانی مناسب CdS بود.

کلیدواژه ها:

نانو صفحات ، (CdS ، TiO(۲ ، روش CVD ، کندوپاش مغناطیسی RF