دوبرابر کننده فرکانسی گسترده با تکنیک تغییر تدریجی امپدانس مشخصه خط انتقال گیت

در این مقاله به تحلیل و طراحی یک ضرب کننده فرکانس گسترده موج میلیمتری با استفاده از ۴ طبقه پوش-پوش در تکنولوژی ۶۵ nm CMOS پرداخته شده است. در مدار پیشنهادی، تکنیک "تغییر تدریجی امپدانس مشخصه خط انتقال گیت" برای افزایش توان خروجی و بازدهی دو برابر کننده فرکانسی گسترده معرفی و تحلیل شده است. به کمک شبیه سازی، تاثیر افزایش دامنه ولتاژ ورودی بر روی بهبود بازدهی و توان خروجی هارمونیک دوم هر سلول-واحد دوبرابر کننده فرکانس نشان داده شده است. برای افزایش دامنه ولتاژ ورودی سلول ها، امپدانس مشخصه خط انتقال گیت به تدریج افزایش یافته است. استفاده از این تکنیک به بهبود توان خروجی به مقدار ۶ dB منتج شده است. شبیه سازی یکپارچه الکترومغناطیسی کل مدار، توان خروجی بیش از -۵ dBm در بازه فرکانسی ۶۰ تا ۲۱۴GHz به ازای توان ۱۲dBm ورودی و توان مصرفی ۲۴mW را بدست می دهد.کلید واژهضرب کننده فرکانس گسترده، زوج پوش-پوش، بالون مارچاند، فناوری CMOS ,موج میلیمتری

کلیدواژه ها:

ضرب کننده فرکانس گسترده ، زوج پوش-پوش ، بالون مارچاند ، فناوری CMOS