مروری بر طراحی ترانزیستور نانوسیم چندکاره برای اعمال گیت های منطقی پایه

یک ترانزیستور نانوسیم چند منظوره برای اجرای توابع منطقی NAND، NOT و NOR طراحی شده است. این ترانزیستور از یک کانال نانوسیم سیلیکونی با سطح مقطع (۷ نانومتر × ۷ نانومتر) که توسط اکسید سیلیکون احاطه شده است، استفاده می کند و سه دروازه مجزا در آن تعبیه شده است. روش شبیه سازی استفاده شده مبتنی بر حل معادلات شرودینگر-پواسون خودسازگار است.نوع تابع منطقی با تغییر سطح ولتاژ گیت کنترل بدون تغییر در ساختار سخت افزار و مدار تعیین می شود.با استفاده از این شبیه سازی، پتانسیل الکتریکی کانال، چگالی حامل و جریان محاسبه می شود.تاثیر هر گیت ترانزیستور بر ویژگی های الکتریکی این دستگاه مورد تجزیه و تحلیل و بررسی قرار می گیرد.مقدار ناخالصی کانال بهینه برای تقارن مشخصه های تابع منطقی به دست آمده است.به علاوه نویز نتایج نشان می دهد که ترانزیستور طراحی شده می تواند به توسعه آینده مدارهای مجتمع کمک کند. (دروازه NOT برای تکمیل استفاده می شود، دروازه NOR ترکیبی از OR (یا) و NOT (مکمل) و دروازه NAND ترکیبی از AND (and) و NOT (متمم) است.)

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، نانوسیم ، شرودینگر-پواسن ، گیت های منطقی ، حاشیه های نویز ، امیتر.