بررسی و تحلیل چند نمونه از ترانزیستور های اثر میدان و تفاوت آنها با ترانزیستورهای دو قطبی

ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و نوع P می باشد. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثرمیدانی (FET). دراین مقاله قصد داریم چندین نمونه از ترانزیستور های اثر میدانی مانند: PS-MOSFET, Floating Gate MOSFET, SOI MOSFET را مورد بررسی قرار داده و تقاوت این نوع ترانزیستور هارا با ترانزیستورهای دو قطبی بسنجیم، و در نهایت به این نتیجه خواهیم رسید که کدام یک از ترانزیستور های اثرمیدانی پرکاربرد تراست.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، دوقطبی ، ترانزیستور اثرمیدانی ، ماسفت