بررسی خواص ساختاری و الکترونی و فیلم لایه ی نازک Fe2CoSi
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,009
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_154
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
ترکیبات هویسلر درصنعت اسپینترونیک دارای کاربرد هستند اسپینترونیک یا مگنتوالکترونیک عناصرمغناطیسی را با الکترونیک برپایه ی بارپیوند زده و موجب تولید وسایلی با خواص و ویژگیهای جدید شدها ست دو شرط مهم که برای وسایل کاربردی اسپینترونیکی نانومقیاس وجوددارد دمای کوری بالا سازگاری لایه ای نازک نیمه فلز با زیرلایه خود است Fe2CoSi یک ترکیب هویسلر کامل است دراینجا به بررسی خواص ساختاری و الکترونیک این ترکیب پرداختیم و با استفاده ازتقریب GGA منحنی چگالی حالات الکترونیک فیلم لایه نازک Fe2CoSi را رسم کردیم
کلیدواژه ها:
اسپینترونیک ، فیلم لایه ی نازک Fe2CoSi لایه نازک نیمه فلز GGA
نویسندگان
بهناز سادات مهردارقائم مقامی
دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش بوچانی
دانشگاه آزاد اسلامی کرمانشاه
سیدمحمد الهی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :