بررسی و مقایسه خواص الکتریکی و فتو رسانایی در دو سمت زیرلایه های اکسید رسانای شفاف قلع تهیه شده به روشCVD
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,289
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_125
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
در این تحقیق لایه های نازک و شفاف دی اکسید قلع SnO2به روش رسوب بخار شیمیایی APCVD) در دمای پایین بر روی زیر لایه شیشه تهیه شده اندمقایسه خواص ساختاری و الکتریکی و فوتو رسانایی لایه ی نازک و شفاف و رسانای اکسید قلع تهیه شده در دو سمت یک نمونه مورد مطالعه قرار گرفت. نمونه انتخاب شده در دمای پایین 933 درجه سانتیگراد بر روی زیر لایه ی شیشه ای تهیه شده و دارای شفافیت در حدود 57 % از روی طیف عبوری می باشد. با استفاده از تکنیک های پراش سنجی اشعه ایکسXRD) خواص ساختاری و اندازه بلورک ها بررسی و محاسبه شد
کلیدواژه ها:
اکسید قلع –دمای پایینAPCVD
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :