مطالعه وبررسی اثر خواص الکتریکی وفتورسانایی لایه های رسانای شفاف اکسید قلع تهیه شده به روشAPCVD

دراین تحقیق خواص ساختاری ، الکتریکی و فتورسانایی اکسیدهای شفاف Sno2تهیه شده به روشAPCV در دماهای 033،033 و033 درجه سانتیگراد مورد مطالعه وبررسی قرار گرفت بااستفاده ازپراش اشعهX خواص ساختاری لایه ها مطالعه شد. همچنین اندازه متوسط بلورکها در ابعاد 61 تا 13 نانو متر با استفاده از رابطه دبای شرر به دست آمد . درمطا لعه خاصیت فتورسانایی بیشترین اثر نور - رسانش مربوط به دمای 033 درجهسانتیگراد وکمترین اثر مربوط به دمای 033 درجه سانتیگراد است . این اکسیدهای شفاف دارای ساختاری مناسب جهت استفاده دروسایل اپتوالکترونیک مانند سلول های خورشیدیهستند.

کلیدواژه ها:

اکسیدهای شفاف ، فتورساناییAPCVD ، XRD