بررسی خواص الکتریکی و فیزیکی مد افزایشی ترانزیستور اثر میدانMOSبا پایهInP و طول گیت50nm
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 727
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_116
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
در این تحقیق ترانزیستور اثر میدان فلز، اکسید، نیمرساناMOSFET)درابعاد نانو با پایهInP توسط روش آماری شبیه سازی مونت کارلو با در نظر گرفتن عوامل پراکندگی و اثرات غیر سهموی بودن نوار انرژِی مورد محاسبه قرار گرفت. طول گیت50nmدر نظر گرفته شد. ترانزیستور در مد افزایشی و با ولتاژ گیت0.8 v مورد بررسی قرار گرفت و خواص الکتریکی و فیزیکی جریان، انرژی و سرعت سوق در طول دستگاه بدست آمد و نتایج ولتاژ درین 0.2 و 0.6 و 1.0 با هم مقایسه شد. اندازه گیری سرعت سوق تغییرات تحرک پذیری در طول دستگاه را نشان می دهد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیر اکبری
دانشگاه پیام نور مشهد،مشهد
هادی عربشاهی
دانشگاه پیام نورفریمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :