طراحی و شبیه سازی سوئیچRF MEMS با تحریک الکترواستاتیکی به منظور کاربرد در سیستم های شیفت دهنده فاز

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,306

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_112

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

در این مقاله ما به طراحی و شبیه سازی سوئیچRF MEMSبا تحریک الکترواستاتیکی می پردازیم و از آن برای استفاده در کاربردهای مخابراتی استفاده می کنیم . شیفت دهنده های فاز در رادارهای آرایه فازی مورد استفاده قرار می گیرند .نتایج شبیه سازی نشان می دهد که طول کشش در هر تعویض کننده فاز 07 نانومتر در ولتاژ اعمالی 977 ولت است . برای سوئیچ کردن نیاز به استفاده از پانزده تعویض کننده فاز بصورت اتصال آبشاری داریم . همچنین روش هایی برای کاهش ولتاژPull-in سوئیچ در تحریک الکترواستاتیکی بیان می گردد . از سوئیچ هایRF MEMS درکاربردهای نظامی و دفاعی نیز استفاده می شود

کلیدواژه ها:

سوئیچ نوری ، تعویض کننده های فاز سیستم های میکروالکترومکانیکی ، نانومتر ، اتصال آبشاری

نویسندگان

ابوالفضل امیری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، گروه برق و الکترونیک ، بوشهر ، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Izhaky, N., Morse, M.T., Koel, S., Cohen, O. ...
  • Petersen, K.E.: Silicon as a mechanical material. Proc.IEEE 70(5), 420 ...
  • Makoto Inamoto _ Takeo Maruyama , Koichiliyama. Mach _ Zehnder ...
  • _ Theory, _ ...
  • Gere, J.M., T imoshenko, S.P.: Mechanics of Materials .PVS - ...
  • Yamada, H., Chu, T ., Ishida, _ Arakawa, Y.:Si photonic ...
  • J. B. Muldavin, G. M. Rebeiz, "High-Isolation Inductively- Tuned X-Band ...
  • نمایش کامل مراجع