بررسی خواص ساختاری ، الکترونی ومغناطیسیCo2MnGeو فیلم لایه نازکCo2MnGe001

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 871

فایل این مقاله در 21 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_064

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

دراین مقاله خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسیی ترکیبCo2MnGeبا استفاده ازنظریه تابع چگالی و کدمحاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است ترکیبات هویسلر کاربرد وسیعی درصنعت اسپینترونیک دارند ترکیب هویسلر Co2MnGe درفاز مغناطیسی پایدارتر ازفاز غیرمغناطیسی آن است فشارگذار محاسبه شده برای انتقال فاز از حالت مغناطیسی به غیرمغناطیسی GPA3/12 محاسبه شده است این ترکیب دارای دمای بالا و پایداری الاستیکی مناسبی است درحالت تعادل Co2MnGe نیم فلز است و دراسپین اقلیت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع نمی کنند اما تحت فشاراندازه گاف نواری تغییر می کند ودرفشارهای مثبت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع می کنند.

کلیدواژه ها:

نظریه تابعی چگالی ، نیم فلز ، فیلم لایه نازک Co2MnGe001 تقریب GGA

نویسندگان

شهپر محمدی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

آرش بوچانی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه

سیدمحمد الهی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

آذین بابادی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه