بررسی خواص ساختاری ، الکترونی ومغناطیسیCo2MnGeو فیلم لایه نازکCo2MnGe001
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 872
فایل این مقاله در 21 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_064
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسیی ترکیبCo2MnGeبا استفاده ازنظریه تابع چگالی و کدمحاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است ترکیبات هویسلر کاربرد وسیعی درصنعت اسپینترونیک دارند ترکیب هویسلر Co2MnGe درفاز مغناطیسی پایدارتر ازفاز غیرمغناطیسی آن است فشارگذار محاسبه شده برای انتقال فاز از حالت مغناطیسی به غیرمغناطیسی GPA3/12 محاسبه شده است این ترکیب دارای دمای بالا و پایداری الاستیکی مناسبی است درحالت تعادل Co2MnGe نیم فلز است و دراسپین اقلیت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع نمی کنند اما تحت فشاراندازه گاف نواری تغییر می کند ودرفشارهای مثبت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع می کنند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شهپر محمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش بوچانی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
سیدمحمد الهی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
آذین بابادی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه