طراحی منبع جریان با استفاده از تقویت کننده عملیاتی کلاس AB در فن آوری ۱۸۰ نانومتر سی ماس

منابع جریان کاربردهای وسیعی در مدارهای مجتمع آنالوگ و مد مختلط دارند. هدف از انجام این مقاله، بررسی تعدادی از ساختارهای منابع جریان سی ماس و سپس طراحی یک منبع جریان جدید است. طراحی مدار آینه جریان پیشنهادی به نحوی انجام می شود که مقاومت خروجی بالا و ولتاژپذیری مناسبی داشته باشد. در طراحی مدار پیشنهادی از تقویت کننده عملیاتی کلاس AB استفاده می شود. علاوه براین، پیاده سازی مدار پیشنهادی توسط ترانزیستورهای ماسفت انجام می شود. طراحی مدار آینه جریان در فناوری ۱۸۰ نانومتر و با ولتاژ تغذیه ۸/۱ ولت انجام می گردد. ساختار پیشنهادی با تعدادی از ساختارهای متداول مقایسه می شود و نتایج شبیه سازی توسط نرم افزار Cadence در تعدادی از گوشه های دمایی و فناوری ساخت ارائه می گردد.

کلیدواژه ها:

واژه های کلیدی : منبع جریان ، مقاومت خروجی ، تقویت کننده عملیاتی کلاس AB ، بهره DC