بررسی و مقایسه ترانزیستور FET (Mosfet)نسبت به ترانزیستور bjt
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 551
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECMECONF16_033
تاریخ نمایه سازی: 18 بهمن 1402
چکیده مقاله:
اولین ترانزیستور در سال ۱۹۵۰ عرضه شد و می توان آن را به عنوان یکی از مهم ترین اختراعات قرن بیستم در نظر گرفت. این المان نیمه هادی به سرعت در حال توسعه است و تا امروز انواع مختلفی از ترانزیستورها معرفی شده است. ترانزیستور می توان با اعمال تغییر در یک سیگنال کوچک به عنوان ورودی، تغییراتی در یک سیگنال بسیار بزرگتر به عنوان خروجی را انجام داد. ترانزیستورهای ماسفت و بی جی تی هر دو جزو قطعات نیمه هادی الکترونیکی هستند.که می توانند . به عنوان کلید یا تقویت کننده در مدارات الکترونیک استفاده می شود. اولین نوع ترانزیستور BJT (ترانزیستور پیوند دو قطبی) است و ماسفت (ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز) نوع دیگری از ترانزیستور است. در این مقاله به بررسی مقایسه اصلی بین ترانزیستور بی جی تی (BJT) و ترانزیستور (MOSFET) می پردازیم.
نویسندگان
علیرضا نصرآبادیان
۱-هیئت علمی دانشگاه فنی و حرفه ای تهران -ایران
علی حسینجانی گورکانی
۲-دانشجوی کارشناسی دانشگاه فنی حرفه ای تهران -ایران