اثر ترکیب مواد اولیه بر تشکیل پوشش کاربید سیلیسیم به روش سمانتاسیونتوده ای

مزیت گرافیت برای کاربرد در دمای بالا ناشی از هدایت حرارتی بالا، ضریب انبساط حرارتی پایین، حفظ خواص فیزیکی ومکانیکی در گسترده بالایی از دما و دانسیته پایین میباشد. با ابن حال استفاده از مواد گرافیتی به دلیل مقاومت بهاکسیداسیون کم آنها در دمای بالا با محیط اکسیدی محدود میشود. به طوری که گرافیت به آسانی در دماهای کمتر از ۵۰۰⁰C اکسید می شود. به منظور بهبود مقاومت به اکسیداسیون گرافیت، پوشش هدفمند تدریجی کاربید سیلیسیم به روش سمانتاسیون توده ای بر سطح گرافیت تشکیل می شود و رابطه بین ترکیب مواد اولیه و ریزساختار پوشش مورد مطالعه قرار میگیرد. همچنین مقاومت حرارتی آن با شعله اکسی استیلن در دمای بیش از ۲۵۰۰⁰C به مدت ۰۵۵ ثانیه بررسی می شود شناسایی فازی نمونه ها با دستگاه پراش اشعه ایکس XRD انجام شده و از میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM مجهز به آنالیز تفکیک انرژی EDS برای بررسی ریزساختار پوشش ها استفاده شد. نتایج نشان می دهد که منجر به تشکیل پوشش کاربدی سیلیسیم با تراکم مناسبی میشود.همچنین اترکیب مواد اولیه تاثیر زیادی بر ساختار پوشش کاربیدسیلیسیم ندارد وپوشش کاربیدسیلیسیم بر گرافیت با ترکیب های مختلف توانایی تحمل شعله اکسیاستیلن را دارد

کلیدواژه ها:

سمانتاسیون توده ای ، پوشش کاربید سیلیسیم ، آزمون اکسی استیلن