اثر نوع پایه گرافیتی بر تشکیل پوشش تدریجی هدفمند SiC به روش سمانتاسیون توده ای

مواد کربنی از جمله گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته اند اما مشکل اصلی آنها، شروع اکسیداسیون ازدمای حدود ۴۰۰⁰C در محیط اکسیدی می باشد. بهترین روش برای تقویت روش برای تقویت مقاومت به اکسیداسیون گرافیت استفاده از کاربید سیلیسیم با ماهیت تدریجی هدفمند FGM است که امروزه به دلیل تغییر تدریجی در ریز ساختار و ترکیب و تحمل مناسب شوک حرارتی دردماهای بالا، مورد توجه قرار گرفته اند. از این رو هدف ازاین مقاله بررسی ساخت پوشش با ماهیت هدفمند وتدریجی بر انواع پایه گرافیتی و بررسی خواص آنها می باشد در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده ای اعمال گردید. پوشش حاصل با آنالیز فازی XRD شناسایی شده و ساختار آنها با میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM مجهز به آنالیز تفکیک انرژی EDS بررسی شد. نتایج نشان می دهد که در روش سمانتاسیون توده ای پوشش کاربید سیلیسم با تراکم مناسب از نوع β-SiC ایجادمی شود. نوع گرافیت و خواص آنها نقش مهمی در ایجاد پوشش تدریجی ایفا می کند، به طوری که پوشش تدریجی SiC تنها بر گرافیت با دانسیته بالا، گرفیته شده خوب و تخلخل مناسب تشکیل می شود.

کلیدواژه ها:

سمانتاسیون توده ای ، پوشش کاربید سیلیسیم تدریجی ، پایه گرافیتی