Design and Implementation of Ultra Low Dropout Regulator
محل انتشار: ششمین همایش مراکز تحقیق و توسعه صنایع و معادن
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,956
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CIMRDC06_027
تاریخ نمایه سازی: 9 آبان 1385
چکیده مقاله:
Today low dropout regulators are widely used in Low Power circuits. This paper presents the design and implementation of a LDO regulator with high current and very low dropout voltage. One of the advantages of this circuit is using an n-channel MOSFET as power transistor. In this circuit Gate Voltage of MOSFET should be higher than input voltage, which is carried by a voltage up converter. The Implemented LDO is designed for a voltage of 11V which with a current of 1A the maximum Dropout will be 25mV, which shows improvement in comparison to conventional regulators.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Ehsan Rokhsat
DigitalClone Corporation