بررسی آثار الکتریکی و مغناطیسی بر رشد بلور NaCl

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 126

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOCDSTS02_040

تاریخ نمایه سازی: 2 دی 1402

چکیده مقاله:

عوامل مختلفی مانند خواص فیزیکی و شیمیایی ماده در حال تبلور، شرایط انحلال، فشار بخار و ... بر رشد بلور تاثیرگذار هستند. در این پژوهش تاثیر میدان های الکتریکی، مغناطیسی بر رشد بلور بررسی شده است. نتایج نشان می دهد حضور میدان مغناطیسی باعث کاهش نسبی تعداد هسته های رشد بلور و افزایش اندازه بلور به همراه افزایش سرعت رشد بلور در صورت تشکیل شده است. بعلاوه در تمام آزمایش ها افزایش فشار بخار در اثر میدان مشاهده شده است؛ در حالیکه میدان الکتریکی بسته به محل قرارگیری منجر به افزایش شدید سرعت تشکیل بلور و تشکیل ریز (نانو) بلور در اثر شار الکترون در میدان های درونی شده است. تاثیر انرژی میدان بر تابع انرژی الکترون نیز در تشکیل انواع پیوندها و ریخت شناسی بلور موثر می باشد.

نویسندگان

علی منیعات

دانشجو کارشناسی مهندسی پزشکی، دانشکده مهندسی برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی شاهرود