ترابرد الکتریکی در یک سیم کوانتومی "Ga۱-xAlxAs" در حضور برهمکنش الکترون- فونون

در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتمی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه می شود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیم بی نهایت فلزی در نظر می گیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب تقریب بستگی قوی، ضریب عبوردهی الکترون را در رهیافت تابع گرین در غلظت های مختلف Al و طول های متفاوت سیم کوانتمی ناحیه میانی به دست می آوریم. برای مطالعه اثر الکترون- فونون، یک نیروی واداشته تابع مکان و زمان را به هر اتم در یک زنجیره ی خطی در تقریب هماهنگ در نظر می گیریم. جابجایی هر اتم در انرژی پرش آن با همسایه ها موثر است. نتایج محاسباتی این مقاله می تواند به درک ما از برهمکنش الکترون - فونون و تاثیر آن در خواص ترابرد الکتریکی کمک کند

کلیدواژه ها:

برهمکنش الکترون – فونون ، سیم کوانتومی ، ضریب عبوردهی الکترونی ، مدل تابع گرین ، تقریب هماهنگ