برآورد کارایی سلول های SRAM توان پایین در تکنولوژی گیت های همه جانبه

تکنولوژی های چند گیتی به دلیل قابلیت کنترل عالی گت بر روی کانال منجر به شیب زیر آستانه ایده آل و ایمنی قوی در برابراثرات کانال کوتاه می شود. مشخصه زیر آستانه ایده آل تکنولوژی گیت همه جانبه (GAA) یک ویژگی اساسی برای حفظ نسبت(I(on)/I(off بالا در عملیات ولتاژ پایین است. سلول SRAM مبتنی بر تکنولوژی گیت همه جانبه» برای حافظه ی کم توان با ولتاز تغذیه پایین قابل استفاده است. در این مقاله، کارآیی سلول های SRAM در تکنولوژی GAA از نظر مصرف توان، پایداری وسرعت عملکرد ارزیابی شد و با طراحی این سلول ها در تکنولوژی FinFET مورد مقایسه قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفادهاز نرم افزار HSPICE و مدل BSIM-CMG و فناوری ۱۰ نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد. مصرف تواناستاتیکی سلول های SRAM کم توان در تکنولوژی GAA بین %۷۸ تا %۸۶ بهبود پیدا می کند. همچنین در تکنولوژی GAAپایداری HSNM و RSNM بین %۴۱ تا %۱۳۱ نسبت به سلول های مشابه در تکنولوژی FinFET افزایش می یابد.

کلیدواژه ها:

، SRAM ، تکنولوژی گیت همه جانبه (GAA) ، تکنولوژی FinFET ، توان ، پایداری